· 表面微加工犧牲層工藝

      多種犧牲層技術(shù)，包括PI，多晶硅，SiO2，Cu和PSG等

· 微電鍍

     可利用刻蝕等工藝對(duì)塊硅進(jìn)行準(zhǔn)三維結(jié)構(gòu)的微加工，以形成所需要的硅微結(jié)構(gòu)。

· 深硅刻蝕

      深反應(yīng)離子腐蝕工藝，基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。其工藝步驟為：鈍化----刻蝕---鈍化----刻蝕。鈍化為反應(yīng)室中通入C4F8氣體，通過化學(xué)反應(yīng)形成聚合物薄膜；刻蝕為反應(yīng)室中通入SF6氣體，進(jìn)行物理和化學(xué)刻蝕。刻蝕均勻性±5%，邊壁角度：90± 1 °，刻蝕高深寬比超高10:1。

· PZT和AlN工藝

      AlN薄膜最厚可生長(zhǎng)2um，6寸晶圓厚度均勻性＜2%，殘余應(yīng)力可控制在200MP內(nèi)，F(xiàn)WHM低至1°。PZT薄膜。具體工藝能力包括，薄膜最厚可生長(zhǎng)2um，壓電系數(shù)可實(shí)現(xiàn)e31為15C/m2，擊穿場(chǎng)強(qiáng)可達(dá)200V，應(yīng)力可控制在100MPa內(nèi)。